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美科研人員發現性能遠優于硅的半導體材料
日期:2022-08-19   [復制鏈接]
責任編輯:sy_liujinying 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
由硅制成的半導體材料已成為許多現代技術的基礎,包括微電子計算機芯片和太陽能電池。然而,硅導熱性能較差,導致計算機中頻現過熱問題且需要昂貴的冷卻系統,在半導體領域并非理想首選。

近期,美國麻省理工學院、休斯敦大學等組成的科研團隊研究證明一種立方砷化硼材料可以克服上述問題。立方砷化硼材料除可為電子和其正電對應物提供高遷移率之外,還具有出色的導熱性。研究人員稱,目前熱量傳輸是許多電子產品發展的主要瓶頸,碳化硅正在取代主要電動汽車行業的電力電子產品硅,因為盡管電遷移率較低,但它的導熱率是硅的三倍,而砷化硼導熱率和遷移率比硅高10倍。下一步研究的重點將是如何像硅一樣有效地生產和純化立方砷化硼材料。該研究結果發表在《科學》雜志上。

原標題:美科研人員發現性能遠優于硅的半導體材料
 
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來源:科技部網站
 
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